纯电动汽车磷酸铁锂电池组放电效率模型

以320V/100A·h磷酸铁锂动力电池组为研究对象,在电动汽车动力电池性能测试试验台上对电池组容量效率、开路电压及电压性效率等特性参数进行了测试.采用二次多项式构建了电池组放电效率模型,描述放电效率与电流及电池荷电状态之间的关系.利用实车测试的电池组放电电流对建立的模型进行了验证,模型的放电效率计算值与实测值的最大相对误差为0.8%,建立的模型是有效的.     

基于改进引力搜索算法的励磁控制PID参数优化

在引力搜索算法（GSA）基础上,结合PSO算法中粒子的运动特点,提出了改进引力搜索算法（IGSA）,并将其应用到励磁控制系统PID参数优化．IGSA嵌入了引力搜索和粒子群搜索,使其在保留引力搜索特点的前提下增加了信息共享及记忆能力,进一步提高了搜索能力．定义了同时考虑ITAE指标和超调量指标的加权目标函数,提出了基于混沌引力搜索的参数优化策略．将IGSA与传统群体优化算法进行了充分对比试验,验证了提出的励磁控制系统PID参数优化方法的有效性．     

CPT系统拾取端能量注入式稳压电路的设计

针对非接触电能传输系统的输出电压控制方式,分析了影响CPT系统输出电压稳定性的因素,设计了一种能量注入式的拾取端稳压电路.该电路以输出电压为控制对象,以输出功率为控制目标,根据负载的需求实现系统输出电压的稳定,并且在能量状态转换的过程中基本实现了软开关.从能量的角度对该电路的输出电压和输出能量状态进行了分析,根据能量状态的改变提出了功率调节占空比的概念,并给出了相应的计算公式.实验结果证明了该方法的有效性.     

永磁同步电机直接转矩控制电压矢量选择区域

为了解决直接转矩控制系统开关表引起的转矩脉动问题,分析了电压矢量对永磁同步电机直接转矩控制系统的定子磁链幅值、转矩角、励磁转矩、磁阻转矩和电机转矩的作用,用简单的数学表达式给出了这些变量的控制规律,得出了永磁同步电机直接转矩控制系统的电压矢量选择区域。研究结果表明：电压矢量与定子磁链的夹角决定了电压矢量对定子磁链幅值和转矩角的增减作用;电压矢量与定子磁链的夹角和转矩角决定了电压矢量对励磁转矩和磁阻转矩的增减作用;电压矢量与定子磁链的夹角、转矩角和永磁同步电机直接转矩控制系统参数决定了电压矢量对转矩的增减作用。     

差分-共集负反馈电路的电性能讨论与仿真

采用方框图分析法,对差分-共集电压串联负反馈放大电路进行理论计算.EWB仿真结果表明：开环和闭环电压增益的理论计算与仿真的相对误差分别为0.142%和0.150%,吻合很好;仿真的开、闭环间的电压增益,满足反馈放大器中的基本关系式;开环状态下的输入、输出电阻的理论与仿真,其相对误差分别为2.60%和0.133%.理论计算闭环输入电阻43.50 kΩ,输出电阻72.72Ω,说明电路具有良好的电压放大器性能.     

架空线微风振动特性实验装置研究

微风振动是高压输电线振动最普遍的形式,同时也是造成输电线路损伤的主要原因.本文根据实验场条件确定设计方案,设计出一种能模拟微风振动形式的实验装置.该装置通过改变导线的水平张力和线路的档距这两个控制变量,得到不同的固有频率,可用来研究架空线固有频率与档距、导线水平张力及导线单位长度质量之间的联系.     

发变组差动保护CT的10%误差曲线校核计算

在系统发生故障的情况下,可能发生CT饱和,因此二次电流不能准确的反映实际一次电流,致使保护装置发生误动。因此我们要求在系统发生短路故障时,CT的变比误差不应大于10%。CT的变比误差与一次电流有关外,还与二次负载阻抗有关。在相同的一次电流作用下,二次负担大,CT的误差同样大。10%误差曲线反映了CT变比产生10%的误差前提下,一次电流与允许的负载阻抗之间产生曲线。从这条曲线我们可以看出在现有的二次负担下,承受的最大短路电流;同时也可计算出在系统发生故障产生最大短路电流下,CT所允许的最大二次负载阻抗。     

应用于WSN的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC VCO设计

为设计一个可应用于无线传感网的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5 V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3 dBc/Hz@1 MHz,VCO的频率调谐范围为4.3~5.3 GHz,相位噪声小于-115 dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2 dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6 mA,满足无线传感网的应用要求。     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.     

瑞光工程低压系统电气调试问题解析

列举了瑞光工程低压厂用系统电气调试过程中出现的典型问题,并对问题产生的原因进行了分析。